Electromigration相关论文
在利用电迁移现象制备铝纳米线的过程中, 铝纳米线的生长位置取决于铝原子的积聚位置。为实现铝原子积聚位置控制, 基于纳米压痕技......
An energy approach is proposed to describe electromigration induced void nucleation based on phase transformation theory......
Electromigration in eutectic SnAg solder reaction couples with various ambient temperatures and curr
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
The influence of electric current on Kirkendall diffusion in Zn/Cu couples was investigated. Under the action of differe......
随着微电子领域朝着微型化的不断前进,产品封装密度越来越高,微焊点的尺寸和间距也日益减小,电迁移现象更加频繁的出现。本文针对......
为了高效排除钢筋附近与保护层内的氯离子,预埋碳纤维网作为内置电极对氯盐环境下的混凝土试件进行多级电迁的试验,研究其除氯效果......
应用第一原理方法研究通过元素掺杂来抑制SnBi无铅焊料中Bi的电迁移问题。在SnBi体系中掺杂Zn和Sb元素,通过用近弹性带方法计算掺......
摘 采用扫描电子显微镜（SEM）、能谱仪（EDs）和微拉伸实验，研究Cu／Sn-3．0Ag-0．5Cu／Cu对接焊点在不同电迁移时间下阳极、阴极界面金属间化合物（I......
电子产品向便携化、小型化、高性能方向发展,促使集成电路的集成度不断提高,体积不断缩小,采用倒装芯片互连的凸点直径和间距进一......
研究了超大规模集成电路铝互连系统中铝通孔的电迁移失效机理及其可靠性寿命评价技术。试验采用CMOS和BiCMOS两种工艺各3组的铝通......
根据铅酸蓄电池的正、负极的充放电反应,电极电势表达式,讨论了充电时电迁移对充电电压的影响.......
采用Ni（P）／Au镀层-SnPb焊点-Ni（P）／Au镀层的互连结构，研究电迁移作用下焊点／镀层界面金属间化合物（IMC）的极性生长特性，从电位差和化学位梯度......
随着集成电路制造工艺进入到纳米时代,日益严重的电路老化给多处理器片上系统(MPSo C)可靠度带来严峻挑战.针对在性能异构MPSo C中......
文章针对交变温度和恒定电流下无铅钎料的电迁移行为进行研究,阐述SAC305钎料接头在高低温交变温度和通电作用下的电迁移行为和接......
在简要介绍电迁移失效机理的基础上,对各种电迁移可靠性实验评估方法的特点进行了分析对比,重点研究了VLSI金属互连电迁移可靠性的......
介绍了研究集成电路互连线电迁移的两种方法:加速寿命试验和移动速度试验.对加速寿命试验进行了分析和评价.分析表明,加速寿命试验......
为了探究Au互连线的形状参数对互连线寿命的影响,在环境温度为150℃、加载电流为500mA的试验条件下,使用恒温箱同时对多种不同形状......
研究了电迁移条件下不同电流密度（0.8-1.27×10^4A/cm^2）和通电时间（0-96 h）对无铅钎料模拟微互连焊点的蠕变断裂行为的影响.研究......
对VLSI的金属互连线实施高应力下的加速寿命试验和常规应力下的噪声频谱测量,得到了金属薄膜1/fγ噪声的频率指数γ在电迁移演化过......
在简要的对铜互连和铝互连进行了比较后，本文从材料特性和集成工艺两方面讨论了铜互连和铝互连对可靠性的不同影响，并详细的分析了一......
铜互连的电迁移可靠性与晶粒结构、几何结构、制造工艺以及介质材料等因素有着密切的关系。分别试制了末端有一定延伸的互连线冗余......
采用倒装芯片组装菊花链器件研究了高电流密度条件下Al互连的失效问题,分析了不同电迁移条件下,由于金属原子的迁移造成的Al互连微......
随着三维封装微互连尺寸向亚微米发展,电流密度大、应力大、散热困难等问题愈发严重,原子尺度迁移失效现象逐渐成为超大规模集成电......
介绍了电脉冲对粉体成形的原理.从电迁移和电脉冲作用下的非平衡相变讨论了粉体成形的机理,为块状纳米材料的制备提供一个新思路.......
以Cu/SAC305/Cu为研究对象,研究温度对电迁移过程中界面金属间化合物（IMC）生长及Cu焊盘消耗的影响。试验过程中加载的电流密度为0.76......
提出了一种新的测试结构（S结构），通过实验、理论推导和有限元分析，研究了铜与TaN扩散阻挡层界面的电流拥挤效应对电迁移致质量输运特性......
对电迁移加速测试模型Black方程中参数的内在物理含义进行了研究,指出参数数值本身代表着电迁移的不同失效机理;对其在不同技术节......
在甲酸（α相）和氢氧化钠（γ相）缓冲液形成的移动反应界面的基础上，提出了一种衍生移动反应界面模型。模型表明在α相和γ相之间会形成一......
介绍一种用于等电聚焦电泳(IEF)以及移动中和化学反应界面(MCRB)的实验方法,并优化实验方法和条件.利用优化的方法和实验条件,完成......
讨论了扩散迁移与电致迁移共同作用时的扩散机制，导出了可描述这一过程的分微方程。...
电迁移过程中，焊点正负极处会分别出现“小丘”、“凹谷”，空洞和裂纹等缺陷，这一系列显微组织的变化将对其电导率的变化有显著的影响......
针对微观晶粒结构演化、尺度效应等微观晶粒结构诱致的电迁移失效问题,本文通过有限元分析软件,考虑焊点不同晶粒结构,对SAC305无......
研究了250℃条件下电流对SnBi共晶熔体／Cu／SnBi共晶熔体反应偶的界面反应的影响。实验结果表明未施加电流时SnBi共晶熔体／Cu反应偶界......
主要研究95.5Sn3.8Ag0.7Cu焊球电迁移过程和焊点的失效行为,发现焊点的电迁移过程主要分为3个阶段：微孔洞的孕育与形成、孔洞的聚集......
An energy approach is proposed to describe the electromigration induced grain rotation under high current density. The d......
电迁移（Electro—Migration，EM）是集成电路可靠性研究的重要项目之一。本文基于JESD63，基于最小二乘法（LSE）和基于极大似然估计（MLE）来研究......
随着倒装凸点中的无铅化,以及I/O密度不断提高,凸点间距和大小不断减小,倒装凸点由于电迁移引起的失效越来越成为一个主要的可靠性......
研究了无铅Sn96Ag3.5Cu0.5凸点与镀Ni焊盘互连界面的电迁移现象.在180℃条件下,凸点及互连界面在电迁移过程中出现了金属间化合物......
通过测量电渗阻锈过程中阻锈剂渗入量、脱盐率以及钢筋极化电阻，研究了混凝土技术参数和电渗电量对电渗阻锈效果的影响。试验结果表......
本文用ADALine模型来解Black方程并用背传模型预测了中值失效时间.其它没有包括在Black方程中的参数例如线的宽度也都用在了背传模......
研究了Cu/Sn3.8Ag0.7Cu/Cu一维焊点在电流密度为5×103A/cm2、环境温度为100℃作用下晶须的生长机理。研究结果表明，通电300 h......
研究了不同电迁移时间（0～96 h）和电流密度（0～1.52×104 A/cm2）对Sn-3.0Ag-0.5Cu微焊点振动疲劳行为的影响。结果显示,在电迁移时间和......
A theoretical analysis of the electromigration-induced void morphological evolution under high curre
In thiswork, analysis of electromigration-induced void morphological evolution in solder interconnects is performed base......
随着电子产品向微型化、多功能化的发展，封装焊点尺寸逐渐减小，电流密度急剧增大，由电迁移引起的焊点失效问题也日趋严重。电迁移使焊......
利用SEM和EDS研究了Cu／Sn58Bi／Cu焊点在电流密度为5×10^3A／cm^2，80℃条件下晶须和小丘的生长．通电540h后，在焊点阴极界面区出现了钎......
采用球栅阵列封装（BGA）焊点研究共晶SnPb焊点中的电迁移行为，分析了电迁移作用下SnPb焊点与Ni（P）镀层界面金属间化合物（IMC）的极性生长现......
An analytical model to predict diffusion induced intermetallic compounds growth in Cu-Sn-Cu sandwich
A mass diffusion model is developed to describe the growth kinetics of Cu6Sn5 intermetallic compounds(IMC)in the Cu-Sn-C......
